中东冲突的蔓延正通过氦气短缺影响半导体供应链。伊朗对全球主要氦气生产国卡塔尔的设施发动袭击，导致现货价格翻番，并加剧了合同压力。氦气在晶圆刻蚀中不可替代，这对芯片生产构成重大风险，尤其对三星电子和SK海力士等韩国企业造成严重影响 —— 市值蒸发超过2000亿美元。最新报告显示，伊朗对卡塔尔能源设施的袭击严重影响了氦气（被誉为“黄金气体”）的供应。这种看似“小众”的工业气体正逐渐成为全球芯片产业的关键风险因素。据报道，卡塔尔占全球氦气供应量的30%以上，其核心生产设施受损导致全球供应骤减。短短两周内，氦气现
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据彭博社报道，存储芯片巨头闪迪（Sandisk）旗下子公司闪迪科技（Sandisk Technology）近日通过私募配售方式，以10亿美元收购南亚科技1.39亿股股份，占其流通普通股比例约3.9%。 南亚科技是中国台湾地区的一家领先DRAM芯片制造商，专注于消费电子、计算机及服务器等领域的DRAM产品研发与生产。根据双方达成的多年战略供应协议，南亚科技将向闪迪科技持续供应DRAM产品。这标志着双方的合作从单纯的买卖关系升级为资本纽带下的深度绑定。 此次交易价格较南亚科技30日均价折让
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闪迪 南亚科技 DRAM 供应链合作
最新消息，由超过6.6万名韩国三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。若无重大变化，三星电子工会成员将于5月21日至6月7日全面罢工。据悉，本次罢工将是三星史上最大规模的罢工计划。关键诉求：取消绩效奖金上限三星劳资双方此前就2026年薪资问题进行了多轮谈判，但双方就部分议题的分歧持续扩大，谈判最终破裂。如果此次罢工得以实施，这将是三星自1969年成立以来遭遇的第二次大罢工，距离上一次2024年7月的25天总罢工仅不到两年。三星工会要求提高绩效奖金计算标准的透明度，取消绩效奖金
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据韩媒Chosun Biz、韩联社等援引市调机构Counterpoint Research数据显示，2026年第一季度，64GB服务器级DRAM模块（RDIMM）DDR5价格较2025年第四季度上涨150%，移动终端用12GB LPDDR5X上涨130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，价格也暴涨180%。不仅是DRAM价格出现130%~180%的大幅上涨，NAND产品线也上涨约130%~150%，涨幅远超此前预期的季度增长100%。业界预测，存储供应短缺状况预计将持续至2027年下半年。A
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DRAM NAND
SK 海力士宣布，已成功开发基于第六代 10 奈米级（1c）制程技术的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，该产品已完成全球首度 1c LPDDR6 验证，预计今年上半年完成量产准备，并于下半年开始供货。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一种主要应用于智能手机与平板等行动装置的低功耗 DRAM 标准，通过低电压运作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要锁定 On-device AI 应用，例如智能手机、平板电脑等终端设备。与
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SK 海力士 LPDDR6 DRAM
随着人工智能热潮推动存储需求增长，半导体设备制造商在收获红利的同时，也在加深与头部存储厂商的合作。据路透社报道，应用材料（Applied Materials）已与美光科技（Micron）、SK 海力士达成合作，共同开发对人工智能与高性能计算至关重要的下一代芯片。3 月 10 日，应用材料发布新闻稿称，已与 SK 海力士签署长期合作协议，加速 DRAM 与 HBM 技术研发。双方将在应用材料新建的研发中心 ——设备与工艺创新与商业化中心（EPIC Center），聚焦存储材料、工艺整合及 3D 先进封装技术
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应用材料 美光 SK海力士 半导体 DRAM HBM NAND
近年来半导体行业发展迅猛，尤其是高性能计算、人工智能和先进汽车系统的需求持续攀升，传统单裸片芯片设计已难以满足当下的功耗、性能、面积（PPA）指标要求。为此，工程师们开始采用多裸片架构，将多个小尺寸裸片集成在单个封装中。该架构虽提升了芯片的可扩展性与性能，却也带来了新的挑战，其中互连规划问题尤为突出。而实现不同裸片间的通信，凸点与硅通孔（TSV）的高效规划，是多裸片集成过程中至关重要的环节。（图 1：基于电子表格的凸点规划示意图）在多裸片设计中，芯片间的互连通过布置在裸片表面的微凸点或混合键合焊盘实现，这
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应用材料公司今日宣布，正与美光科技展开合作，研发新一代动态随机存取存储器、高带宽内存及闪存解决方案，以提升人工智能系统的高能效表现。双方整合了应用材料位于硅谷的 EPIC 创新中心的先进研发能力，以及美光位于爱达荷州博伊西的顶尖创新中心资源，助力巩固美国半导体领域的创新研发体系。应用材料总裁兼首席执行官加里・迪克森表示：“应用材料与美光长期保持合作关系，始终致力于通过突破材料工程与制造创新的边界，打造性能更优、能效更高的先进存储芯片。下一代存储技术在人工智能系统的未来发展中愈发关键，我们十分欣喜能以 EP
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应用材料 美光 HBM 闪存 DRAM
此前，国家发改委价格监测中心发文称，2025 年 9 月至今，受需求「爆发式」增长、产能「断崖式」紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上涨，近 1 个月多以来，涨幅呈现扩大态势，建议关注存储芯片对下游价格的影响。那么下游哪些产业会受到影响呢？全品类存储价格全线冲高，涨价潮持续加码硬件存储价格的暴涨已持续半年，上行趋势仍在持续强化。本轮涨价覆盖了 DRAM、NAND Flash 两大主流存储品类，以及 Nor Flash、车规级存储等细分赛道，呈现出「全品类普涨、涨幅
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DRAM Flash
DRAM 平均现货价格（2 月 25 日 - 3 月 3 日）DDR5 16Gb 4800/5600（2G×8）：77.36→79.14，涨幅 2.25%DDR5 16Gb（2G×8）eTT 版 3200：38.67→39.17，涨幅 1.29%DDR4 16Gb（2G×8）eTT 版：32.34→33.02，涨幅 2.48%DDR4 16Gb（1G×8）3200：20.20→20.70，涨幅 2.10%DDR4 8Gb：13.53→13.66，涨幅 1.02%最新更新时间：2026 年 3 月 4 日
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人工智能引发内存供应危机，DRAM 市场被迫启用 “小时级定价” 模式 —— 数万家中小企业为生存展开激烈争夺逾 19 万家中小型电子企业正被人工智能浪潮挤出内存市场。据《电子时报》今日发布的报道，受人工智能需求激增引发的内存短缺问题持续加剧影响，内存价格开始以小时为单位波动。半导体行业内部人士提醒，若中小厂商无法预付货款并立即下单，短短数分钟内报价就可能大幅上涨。报道指出，当前内存市场已明显分化：约 100 家头部采购商凭借议价能力牢牢掌握货源，而超过 19 万家中小企业只能争抢剩余的少量库存。人工智能
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内存 DRAM NAND
据报道，全球前两大DRAM芯片大厂三星和SK海力士已向客户发出通知，今年第二季度将继续大幅提高DRAM价格。而具体的涨价幅度则因客户而异，但中小型客户可能将不得不接受大幅涨价以确保DRAM供应。这一波DRAM价格的持续上涨，是因为自去年下半年起因AI基础设施建设热潮刺激 —— 这也彻底改变了交易惯例，大客户与中小企业之间的购买力差距也在扩大。有业内人士观察到，有些客户必须接受价格上涨超过之前合同价格的两倍以上，才能获得DRAM的批量供应。近期有消息显示，三星在与苹果就LPDDR5X供应价格进行谈判时，三星
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三星 SK海力士 DRAM
据中国台湾媒体报道，SK海力士和三星两大内存巨头接连传出涨价消息，DDR5内存颗粒价格拟上调40%，第二季度DRAM价格或将翻倍。 内存模组厂商已暂停对外报价，等待成本重新核算。据中国台湾《PCDIY！》资深记者Rose Lee透露，新一波内存涨价将呈现“一浪接一浪”的迅猛态势，传导速度极快。其中，DDR5主流32GB规格产品价格预计将从目前约新台币1万元飙升至2万元，突破历史新高。目前，全球渠道商和代理商仍有部分低价库存，但随着成本上涨，这些库存将逐步被消化，市场将全面进入高价时代。
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DDR5 DRAM
据市场研究公司DRAMeXchange于2月27日发布的数据显示，DRAM和NAND闪存芯片的价格继续同步上涨，其中DRAM价格再次创下历史新高，达到13美元，而NAND闪存价格涨幅超过33%。自去年4月以来，通用DRAM价格已连续11个月上涨。数据显示，2月份通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易价格为13.00美元，较上月的11.50美元上涨了13.04%。这一价格创下自2016年6月开始该项调查以来的最高纪录。TrendForce分析指出，PC DRAM价格较上一季度上涨
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