5月20日，韩国三星电子的劳资谈判再度宣告破裂，明天起将举行大罢工，这也将是该公司史上最大规模罢工。据韩联社报道，三星电子作为全球重要的存储芯片制造商，一旦发生罢工，可能进一步加剧由全球人工智能数据中心建设持续升温带来的全球半导体供应趋紧局面，其影响或波及汽车、计算机及智能手机等多个行业。今年3月中旬，由超过6.6万名三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。全面罢工将于5月21日至6月7日举行。不过，韩国水原地方法院5月18日批准了三星电子公司提出的部分禁令请求，责令该公司工
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三星 存储 DRAM NAND HBM
集邦咨询（TrendForce）表示，2026 年第二季度移动 DRAM 价格仍在大幅上涨，本已因整体内存供应紧张而削减生产计划的智能手机厂商，如今又面临新的成本压力。该机构最新的内存市场研究显示，LPDDR4X 解决方案的平均售价（ASP）预计在 2026 年第二季度环比至少上涨 70%–75%；LPDDR5X 涨幅更快，预计环比上涨 78%–83%。此前数个季度价格已连续大幅攀升，如今正直接影响手机产品规划。移动 DRAM 价格分化，供应商策略各异集邦咨询称，三星与 SK 海力士定价路线似乎不同：三星
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市场研究机构集邦咨询（TrendForce）最新发布的存储调查报告显示，2026年第二季度移动端DRAM合约价格继续大幅走高，智能手机厂商的成本压力正持续加剧。值得注意的是，韩国两大内存原厂在本轮涨价中采取了不同策略：三星倾向于一次性上调到位，涨幅较为明显；而SK海力士目前给出的临时报价涨幅相对缓和，采取逐级推高的节奏，预计到五月下旬才能完成最终定价。综合来看，集邦咨询预估，第二季度LPDDR4X的平均售价（ASP）环比涨幅至少为70%–75%，LPDDR5X则达到78%–83%。连续多个季度的高额涨价已
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2026年全球半导体市场将迎来爆发式行情，市场研究机构Omdia上调行业收入增速预期至62.7%。此次预期上调，源于人工智能算力需求持续重塑基础设施建设格局，带动DRAM、NAND等存储芯片需求暴涨。这预示着整条供应链机遇与风险并存：既有元器件短缺隐忧，也面临系统成本上涨、产品设计优先级重构等变化。存储供需缺口进一步加剧本轮行业暴涨的核心，是存储芯片供需紧张局面持续加深。Omdia预计，2026年DRAM市场规模近乎翻倍，NAND市场规模较2025年最高有望增长四倍。关键诱因是行业集体转向高带宽内存HBM
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据韩国媒体报道，三星电子的新一代1d DRAM（第七代10nm工艺）因良率未达标，短期内可能无法实现量产，进而影响其下一代HBM内存的推进节奏。这一技术问题直接波及三星计划中的HBM5E产品大规模生产。一位接近三星内部的人士透露，三星电子决定在D1d良率达到预期目标之前无限期推迟量产计划，且尚未明确重启时间。公司正重新审视工艺路线图，以寻求良率提升的解决方案。尽管D1d DRAM技术此前已通过预生产批准（PRA），但因良率低于预期，三星对其试产和量产的投资回报率（ROI）表示担忧。D1d DRAM技术对三
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三星 1d DRAM 良率问题 HBM5E
2026年4月23日，SK海力士今日发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告。 SK海力士2026年第一季度主要数据：营收52.58万亿韩元（2429.2亿元人民币），较上一季度的32.83万亿韩元增长60%，同比增长198%；营业利润 37.61 万亿韩元（1737.6 亿元人民币），同比增长 405.5%；净利润 40.34 万亿韩元（1863.7 亿元人民币），同比增长 397.6%。从季度业绩来看，销售额首次突破50万亿韩元大关，营业利润为37.6万亿韩元，营业利润率达
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本轮半导体行业复苏的核心引擎，当属NAND闪存的价格暴涨。据摩根士丹利证券预测，MLC（及成熟制程TLC）产品价格从今年首季到第四季涨幅将超过200%，下半年供需失衡幅度或达40%，缺口持续扩大助推价格飙升。DRAM涨幅逐步收敛，反观NAND价格动能转强，甚至超越DRAM：预估一般型DRAM在第二季度合约价格将上涨约58%-63%，NAND闪存则上涨约70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND产能几近消失，终端客户库存普遍仅剩六至九个月，供需结构转趋紧绷。大摩科技产业分析师在最新释出的报告中指
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核心要点Rowhammer（行锤） 仍是 DRAM 的主要安全威胁，Rowpress（行压） 正成为新的相关威胁。内存控制器发出的新型刷新指令可缓解问题，但并非完美解决方案。更小的垂直结构 DRAM 单元有望从根本上消除问题，但距离量产仍需数年。Rowhammer 已经困扰了数代 DRAM 产品，并且随着制程进步愈发严重。与之相关的新型漏洞 Rowpress 也随之出现。新的刷新指令可以减轻不良影响，但要彻底根除问题，可能只能依靠新一代 DRAM 存储单元结构。新思科技（Synopsys）应用工程执行董事
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DRAM 安全危机
如今的内存市场，简直像维多利亚时代那位被焦虑裹挟的贵妇一样歇斯底里。最典型的例子就是通用 DRAM 领域：现货价格小幅回调，就引发了 “行业末日” 的唱衰论调，甚至连带股价大跌。但三星这类真正的行业巨头却始终淡定，并且铁了心按计划持续提价。三星 2026 年一季度 DRAM 价格翻倍后，二季度内存产品再平均涨价 30%据韩国《ETNews》报道，三星已对其 DRAM 产品执行 ** 季度环比约 30%的提价供货。关键在于，此次涨价是在2026 年一季度 DRAM 均价同比大涨 100%** 的基础上继续上
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三星 DRAM
TrendForce最新存储器产业研究指出，大厂逐步退出成熟DDR4以下产品制造的策略不变，在市场供给结构持续收敛下，过去几个月，整体价格已累积惊人涨幅。 由于目前市场供需仍未平衡，市场普遍看好，内存报价涨势，至少将延伸到今年下半年。TrendForce考量供给持续缩减，以及订单转移，但台厂产能扩张不及等因素，预估2026年第二季consumer DRAM合约价格，仍将持续季增45~50%。内存业者则更乐观的预期，今年全年价格都将维持向上趋势。TrendForce表示，2026年3月consumer DR
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增材制造（3D 打印）的惊人进步已耳熟能详，它可以使用一长串材料制造大大小小的物件。其中一些物件可按需复刻现有零件，另一些则是采用锻造、机加工、注塑、铸造、挤压、化学蚀刻等任何标准制造工艺都无法生产的结构。麻省理工学院（MIT）的一组研究人员现已开发出一个多材料 3D 打印平台，可一步到位完整打印出电气设备（图 1）。图 1 本研究开发的多模式、多材料挤出系统集成工具：(a) E3D Hemera 丝材挤出机；(b) 带定制 3D 打印部件、兼容 E3D ToolChanger 的 Mahor v4 颗粒
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韩国媒体ETnews报道，三星在一季度将DRAM合约价上涨了100%之后，二季度的DRAM合约价将再度上涨30%。由于随着对AI基础设施投资的扩展，包括三星在内的主要内存制造商将产能集中在HBM上，通用DRAM的供应变得不足，导致价格急剧上涨。据悉，三星已确认于3月底与主要客户完成价格谈判，并签署了供应合同。DRAM合约价30%的涨幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手机所需的通用DRAM。而三星此前在第一季度已经将DRAM的平均价格提高了100%。这意味着，如果2025年DRAM价格为10000韩元
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4月2日，据外资投行摩根士丹利针对美光科技（Micron）的跟踪报告显示，美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投资人会议中透露，尽管美光正在加速扩产DRAM，但新产能最快要到2027年底才能出货。因此，DRAM供不应求的局面将持续至2027年。此外，部分关键半导体设备的产能不足也是导致这一现象的重要原因。 目前，人工智能芯片对高带宽内存（HBM）的强劲需求，成为DRAM市场供不应求的核心瓶颈。美光计划在2025年第三季度将其HBM市场份额提升至与整体DRAM市场份额持平的水平
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根据上交所官网披露的信息显示，国产DRAM巨头长鑫科技科创板IPO审核状态变更为“中止”，引起市场关注。关于此次“中止”，上交所给出的说明为“长鑫科技集团股份有限公司因发行上市申请文件中记载的财务资料已过有效期，需要补充提交。”需要指出的是，目前的“中止”状态并非“终止”。本次“中止”属于IPO审核过程中的技术性暂停，而非审核终止，不妨碍企业IPO的正常审核，通常在企业补充披露审计材料并提交更新稿后，审核程序将恢复，上市进程未受实质性影响。针对此次IPO中止，长鑫科技相关消息人士明确回应，此次状态调整属于
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长鑫科技 IPO DRAM
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