TrendForce最新存储器产业研究指出，大厂逐步退出成熟DDR4以下产品制造的策略不变，在市场供给结构持续收敛下，过去几个月，整体价格已累积惊人涨幅。 由于目前市场供需仍未平衡，市场普遍看好，内存报价涨势，至少将延伸到今年下半年。TrendForce考量供给持续缩减，以及订单转移，但台厂产能扩张不及等因素，预估2026年第二季consumer DRAM合约价格，仍将持续季增45~50%。内存业者则更乐观的预期，今年全年价格都将维持向上趋势。TrendForce表示，2026年3月consumer DR
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内存 TrendForce DRAM
增材制造（3D 打印）的惊人进步已耳熟能详，它可以使用一长串材料制造大大小小的物件。其中一些物件可按需复刻现有零件，另一些则是采用锻造、机加工、注塑、铸造、挤压、化学蚀刻等任何标准制造工艺都无法生产的结构。麻省理工学院（MIT）的一组研究人员现已开发出一个多材料 3D 打印平台，可一步到位完整打印出电气设备（图 1）。图 1 本研究开发的多模式、多材料挤出系统集成工具：(a) E3D Hemera 丝材挤出机；(b) 带定制 3D 打印部件、兼容 E3D ToolChanger 的 Mahor v4 颗粒
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增材制造 3D 打印 电动机
韩国媒体ETnews报道，三星在一季度将DRAM合约价上涨了100%之后，二季度的DRAM合约价将再度上涨30%。由于随着对AI基础设施投资的扩展，包括三星在内的主要内存制造商将产能集中在HBM上，通用DRAM的供应变得不足，导致价格急剧上涨。据悉，三星已确认于3月底与主要客户完成价格谈判，并签署了供应合同。DRAM合约价30%的涨幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手机所需的通用DRAM。而三星此前在第一季度已经将DRAM的平均价格提高了100%。这意味着，如果2025年DRAM价格为10000韩元
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4月2日，据外资投行摩根士丹利针对美光科技（Micron）的跟踪报告显示，美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投资人会议中透露，尽管美光正在加速扩产DRAM，但新产能最快要到2027年底才能出货。因此，DRAM供不应求的局面将持续至2027年。此外，部分关键半导体设备的产能不足也是导致这一现象的重要原因。 目前，人工智能芯片对高带宽内存（HBM）的强劲需求，成为DRAM市场供不应求的核心瓶颈。美光计划在2025年第三季度将其HBM市场份额提升至与整体DRAM市场份额持平的水平
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美光 DRAM
根据上交所官网披露的信息显示，国产DRAM巨头长鑫科技科创板IPO审核状态变更为“中止”，引起市场关注。关于此次“中止”，上交所给出的说明为“长鑫科技集团股份有限公司因发行上市申请文件中记载的财务资料已过有效期，需要补充提交。”需要指出的是，目前的“中止”状态并非“终止”。本次“中止”属于IPO审核过程中的技术性暂停，而非审核终止，不妨碍企业IPO的正常审核，通常在企业补充披露审计材料并提交更新稿后，审核程序将恢复，上市进程未受实质性影响。针对此次IPO中止，长鑫科技相关消息人士明确回应，此次状态调整属于
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中东冲突的蔓延正通过氦气短缺影响半导体供应链。伊朗对全球主要氦气生产国卡塔尔的设施发动袭击，导致现货价格翻番，并加剧了合同压力。氦气在晶圆刻蚀中不可替代，这对芯片生产构成重大风险，尤其对三星电子和SK海力士等韩国企业造成严重影响 —— 市值蒸发超过2000亿美元。最新报告显示，伊朗对卡塔尔能源设施的袭击严重影响了氦气（被誉为“黄金气体”）的供应。这种看似“小众”的工业气体正逐渐成为全球芯片产业的关键风险因素。据报道，卡塔尔占全球氦气供应量的30%以上，其核心生产设施受损导致全球供应骤减。短短两周内，氦气现
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半导体 芯片 氦气 溴 DRAM NAND
据彭博社报道，存储芯片巨头闪迪（Sandisk）旗下子公司闪迪科技（Sandisk Technology）近日通过私募配售方式，以10亿美元收购南亚科技1.39亿股股份，占其流通普通股比例约3.9%。 南亚科技是中国台湾地区的一家领先DRAM芯片制造商，专注于消费电子、计算机及服务器等领域的DRAM产品研发与生产。根据双方达成的多年战略供应协议，南亚科技将向闪迪科技持续供应DRAM产品。这标志着双方的合作从单纯的买卖关系升级为资本纽带下的深度绑定。 此次交易价格较南亚科技30日均价折让
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闪迪 南亚科技 DRAM 供应链合作
最新消息，由超过6.6万名韩国三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。若无重大变化，三星电子工会成员将于5月21日至6月7日全面罢工。据悉，本次罢工将是三星史上最大规模的罢工计划。关键诉求：取消绩效奖金上限三星劳资双方此前就2026年薪资问题进行了多轮谈判，但双方就部分议题的分歧持续扩大，谈判最终破裂。如果此次罢工得以实施，这将是三星自1969年成立以来遭遇的第二次大罢工，距离上一次2024年7月的25天总罢工仅不到两年。三星工会要求提高绩效奖金计算标准的透明度，取消绩效奖金
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据韩媒Chosun Biz、韩联社等援引市调机构Counterpoint Research数据显示，2026年第一季度，64GB服务器级DRAM模块（RDIMM）DDR5价格较2025年第四季度上涨150%，移动终端用12GB LPDDR5X上涨130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，价格也暴涨180%。不仅是DRAM价格出现130%~180%的大幅上涨，NAND产品线也上涨约130%~150%，涨幅远超此前预期的季度增长100%。业界预测，存储供应短缺状况预计将持续至2027年下半年。A
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SK 海力士宣布，已成功开发基于第六代 10 奈米级（1c）制程技术的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，该产品已完成全球首度 1c LPDDR6 验证，预计今年上半年完成量产准备，并于下半年开始供货。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一种主要应用于智能手机与平板等行动装置的低功耗 DRAM 标准，通过低电压运作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要锁定 On-device AI 应用，例如智能手机、平板电脑等终端设备。与
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随着人工智能热潮推动存储需求增长，半导体设备制造商在收获红利的同时，也在加深与头部存储厂商的合作。据路透社报道，应用材料（Applied Materials）已与美光科技（Micron）、SK 海力士达成合作，共同开发对人工智能与高性能计算至关重要的下一代芯片。3 月 10 日，应用材料发布新闻稿称，已与 SK 海力士签署长期合作协议，加速 DRAM 与 HBM 技术研发。双方将在应用材料新建的研发中心 ——设备与工艺创新与商业化中心（EPIC Center），聚焦存储材料、工艺整合及 3D 先进封装技术
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应用材料 美光 SK海力士 半导体 DRAM HBM NAND
近年来半导体行业发展迅猛，尤其是高性能计算、人工智能和先进汽车系统的需求持续攀升，传统单裸片芯片设计已难以满足当下的功耗、性能、面积（PPA）指标要求。为此，工程师们开始采用多裸片架构，将多个小尺寸裸片集成在单个封装中。该架构虽提升了芯片的可扩展性与性能，却也带来了新的挑战，其中互连规划问题尤为突出。而实现不同裸片间的通信，凸点与硅通孔（TSV）的高效规划，是多裸片集成过程中至关重要的环节。（图 1：基于电子表格的凸点规划示意图）在多裸片设计中，芯片间的互连通过布置在裸片表面的微凸点或混合键合焊盘实现，这
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多裸片芯片 凸点 硅通孔 3D 堆叠芯片 新思科技 硅通孔
应用材料公司今日宣布，正与美光科技展开合作，研发新一代动态随机存取存储器、高带宽内存及闪存解决方案，以提升人工智能系统的高能效表现。双方整合了应用材料位于硅谷的 EPIC 创新中心的先进研发能力，以及美光位于爱达荷州博伊西的顶尖创新中心资源，助力巩固美国半导体领域的创新研发体系。应用材料总裁兼首席执行官加里・迪克森表示：“应用材料与美光长期保持合作关系，始终致力于通过突破材料工程与制造创新的边界，打造性能更优、能效更高的先进存储芯片。下一代存储技术在人工智能系统的未来发展中愈发关键，我们十分欣喜能以 EP
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应用材料 美光 HBM 闪存 DRAM
此前，国家发改委价格监测中心发文称，2025 年 9 月至今，受需求「爆发式」增长、产能「断崖式」紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上涨，近 1 个月多以来，涨幅呈现扩大态势，建议关注存储芯片对下游价格的影响。那么下游哪些产业会受到影响呢？全品类存储价格全线冲高，涨价潮持续加码硬件存储价格的暴涨已持续半年，上行趋势仍在持续强化。本轮涨价覆盖了 DRAM、NAND Flash 两大主流存储品类，以及 Nor Flash、车规级存储等细分赛道，呈现出「全品类普涨、涨幅
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